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电子元器件详细资料 » IC[5408] » 2SA1179N6-CPA-TB-E
型号:2SA1179N6-CPA-TB-E类别:晶体管(BJT) - 单路制造商:ON Semiconductor
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:TRANS PNP BIPO 150MA 50V CP

详细参数

类别晶体管(BJT) - 单路
描述TRANS PNP BIPO 150MA 50V CP
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型NPN
电流_集电极(Ic)111最大222150mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222500mV @ 5mA,50mA
电流_集电极截止111最大222-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)200 @ 1mA,6V
功率_最大200mW
频率_转换180MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装*
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
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北京首天伟业科技有限公司刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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2SA1179N6-CPA-TB-E相关型号

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